作者：Analog CMOS
不僅可以做電容、電阻，還可以做：電感、MOS管、三極管、二極管等
平時消費者看到的成品是這樣子
打開黑色外套，內(nèi)部核心大概長這樣子
里面應該會有的典型器件：
1. 電容有poly 電容 MOS電容 MOM電容
2. 電阻：有poly電阻diffusion電阻
3. 電感
4. 二極管
5. 三極管
IC的制作過程實際上就是在硅襯底上多次反復進行薄膜形成、光刻、摻雜等加工。
具體操作有刻蝕、注入、蒸發(fā)、濺射、生長、沉淀、冷卻、退火等復雜的工藝。
工藝步驟
1. 潔凈工藝
給硅片提供潔凈的環(huán)境
2. 氧化工藝
3. 薄膜工藝
IC的制作過程實際上就是在硅襯底上多次反復進行薄膜形成、光刻、摻雜等加工。
4. 光刻工藝
把（掩膜版上的）圖形轉移到硅片上
5. 摻雜工藝
摻雜就是將硼、磷、砷等元素加到硅圓片內(nèi)或多晶硅等薄膜內(nèi)，改變其雜質濃度，以改變硅片的性質，如從n型變成p型、從p型變成n型，或改變其電阻率。
6. 刻蝕工藝
刻蝕就是利用光刻膠或其它材料作掩蔽層，對沒有保護的區(qū)域進行腐蝕，最終實現(xiàn)掩膜版圖形變成硅片上圖形的圖形轉移。
7. 平坦化工藝
在集成電路工藝發(fā)展過程中，隨著加工層數(shù)的增加，出現(xiàn)了表面的臺階高差越來越大的問題。
一個簡單的兩個器件組成的反相器，至少經(jīng)過前面的幾個最基本操作，才能實現(xiàn)
